Tunggal kristal tungku tunggal kristal gambar proses

Tunggal kristal tungku tunggal kristal gambar proses

Pertama, put the kemurnian tinggi polysilicon mentah material into the kemurnian tinggi kuarsa wadah, and melt it by the high temperature generated by the graphite heater; then, cool the molten silicon liquid sedikit to produce a certain degree of supercooling, and use another one The silicon single crystal (called the seed crystal) fixed on the seed crystal shaft is inserted into the surface of the melt. Setelah biji kristal adalah meleleh dengan leleh, perlahan tarik biji kristal ke atas, dan the kristal akan tumbuh pada bawah ujung dari biji kristal; maka, kontrol the biji kristal. The kristal Kristal Kristal Tumbuh a bagian dari sekitar 100m dalam Tunggal kristal Silicon pertumbuhan Tungku dengan A Sempit leher dengan A diameter dari 3 To 5 mm, Yang adalah digunakan untuk menghilangkan The dislokasi dari Atom pengaturan disebabkan oleh itu kuat termal shock of the suhu suhu solusi on the seed crystal. This process is seeding; Then, enlarge the crystal diameter to the size required by the process, generally 75-300mm. Ini proses adalah disebut bahu pengaturan; maka, tiba-tiba meningkat the menarik kecepatan dan melakukan bahu rotasi operasi untuk membuat bahu kira-kira kanan sudut; kemudian, enter the sama diameter proses dan kontrol The suhu dari the termal bidang dan mengangkat kecepatan dari kristal tumbuh a tunggal kristal kolom dengan a tertentu diameter dan ukuran; akhirnya, kapan paling dari silikon larutan has been mengkristal, the kristal adalah secara bertahap berkurang untuk bentuk a berbentuk ekor kerucut, yang adalah disebut the finishing proses; Such a single crystal drawing process is pada dasarnya selesai, and it can be taken out after a certain heat preservation and cooling. The Czochralski method is also called the J.Czochralski method. This method is a crystal growth method established by Cheklauschi as early as 1917. Itu peralatan dan proses untuk tumbuh tunggal kristal oleh Czochralski metode are relatif sederhana% 2c mudah untuk realisasi otomatis kontrol% 2c tinggi produksi efisiensi% 2c dan mudah untuk mempersiapkan besar diameter tunggal tunggal kristal . Ini mudah untuk kontrol pengotor konsentrasi dalam the tunggal kristal 2c dan the kristal kristal adalah diproduksi oleh itu metode Czochralski .

www.superbheater.com